报告时间：2018年5月23日晚上18：30-20:30
报告地点：曹光彪楼218会议室
邀 请 人: 皮孝东
报告主题一: 半导体蓝光芯片发展历史及现状
摘要:
近三十年来，半导体材料得到了迅猛的发展，从窄禁带到宽禁带，从红外到紫外。人类面临日益突出的能源与环境问题，一直不断推动半导体材料科学向前发展。以GaN为主要代表的短波半导体光电材料，从根本上解决了LED三基色缺色的问题，引发了全球半导体白光照明革命；作为战略性新兴产业，白光发光二极管也成为了新型高效节能的重要代表；另一方面，宽禁带半导体材料是信息及能源产业的基础，是未来半导体产业发展重要方向，有望不远的将来在信息、能源、电力电子等行业产生新一轮的革命。本报告将简单介绍半导体蓝光芯片发展历史，包括SiC材料发光、II-VI族半导体、氮化物半导体材料及发光二极管芯片的发展历程及现状。
报告人简介
袁国栋，中国科学院半导体研究所研究员，博导。中科院百人计划，国家优秀青年基金获得者，中国科学院大学岗位教授。2006年获浙江大学博士学位。2006至2009年任香港城市大学物理及材料科学系COSDAF研究中心博士后；2009至2011年先后在德国波鸿鲁尔大学电子工程系和德国柏林洪堡大学物理系做博士后，2012年得到中国科学院“百人计划”的资助，在中国科学院半导体研究所工作。2014年获国家优秀青年科学基金。 主要从事低维半导体材料及光电器件研究工作。近年来在Adv. Mater., Angew. Chem. Int. Ed., Nano Lett., ACS Nano,等国内外重要刊物上发表论文70余篇，SCI论文被他引1500多次。
报告主题二: 发展半导体芯片的困境与硅光电子芯片光源问题
摘要：
在本报告中我们将从半导体技术特点、经费投入强度、人才短缺等方面分析我国半导体芯片产业所面临的困境。然后介绍我们为解决硅光电子芯片缺光源的问题所开展的研究。基于基因遗传算法逆向设计了高效发光的SiGe2Si2Ge2SiGen（n>=12）超晶格，它的发光效率是文献中报道的硅锗超晶格的最高记录的50倍，达到GaAs等直接带隙半导体的10%，发光波长为1.6 微米, 接近1.55微米的理想光纤通信波长。我们最近还提出了兼容硅CMOS工艺的锗直接带隙发光的新方案，该方案工艺简单，可以实现大规模制备，如果成功实现将为硅光电子集成技术的发展扫除最后的障碍。
报告人简介
骆军委，中国科学院半导体研究所研究员，半导体超晶格国家重点实验室副主任。2000年和2003年分别在浙江大学获得学士和硕士学位，2006年毕业于中国科学院半导体研究所，2007年至2014年在美国可再生能源国家实验室分别担任博士后、Scientist, Senior Scientist。2014年2月受聘于中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室。一直从事半导体物理与器件物理研究，尤其是聚焦半导体微电子和光电子信息技术中的关键科学问题，系统研究了硅量子点发光机制和经典半导体中的自旋轨道耦合机制，取得多项原创性研究成果，为解决硅芯片上集成光源的世界难题设计出硅基高效发光材料，在国际 上首先发现隐藏自旋极化效应，开辟了隐藏物理(hidden physics)的研究方向。研究成果获得国际同行的广泛关注。至今已发表论文60余篇，包括2篇nature physics、1篇nature nanotechnology、1篇nature materials、1篇nature comm和6篇PRL等，其中回国4年来以第一作者和/或通信作者发表1篇nature nanotechnology、2篇PRL、1篇JACS、1篇IEDM会议、2篇Nano Lett和2篇PRB等。在APS、ACS、E-MRS、ICSNN、JSAP-MRS等重要国际会议上作邀请报告或担任分会主席。
