报告一：生物材料探索生物医学谷洛博士
报告二：Characterization of Semiconductors by Combining the PL and DLTS Techniques 卢励吾研究员
报告时间：5月15日下午3点
报告地点：硅材料国家重点实验室1号楼会议室
邀请人：杨德仁教授 余学功教授
报告人简介：
谷洛 (Ph.D.)，本科毕业于北京大学化学与分子工程学院，之后在美国加州大学圣迭戈分校 (UCSD) 获得化学硕士和博士学位，现在哈佛大学工程与应用科学学院及 Wyss 生物工程研究所做博士后、助理研究员。在博士期间，谷洛研发了生物可降解的多孔硅纳米材料，并发现了其独特的长寿命光致发光性质。利用多孔硅纳米颗粒此发光特性，谷洛开创了一种时间分辨、无背景发光干扰的肿瘤成像技术。相关工作在 Nature Materials 和 Nature Communications 等杂志发表，目前已被引用超过1000次。此项研究成果亦获得美国专利商标局和发明家名人堂举办的学院发明家竞赛提名奖。谷洛博士将于2017年秋季入职约翰·霍普金斯大学 (Johns Hopkins University) 材料科学与工程系，任助理教授、博士生导师，继续研究可用于再生医学和免疫治疗的生物材料。
卢励吾研究员研究生毕业于中国科学院半导体研究所，获理学硕士学位。1983年3月起分别在中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室和半导体材料科学重点实验室工作长期从事半导体材料（Si, GaAs 和GaN基宽禁带半导体材料）和相关器件的物理特性的研究，尤期是材料和器件的电学（I-V, C-V, Hall, DLTS和热激电流谱）和光学（PL, CL）性质（尤期是表面态，界面态和体态深能级中心研究）表征。主持和参加多项国家自然科学基金，973项目和国家攻关项目。在国内外学术刊物上发表七十多篇论文和获得五项发明专利授权，编写《半导体的检测与分析》（第二版）（科学出版社，2007年，许振嘉主编）第七章《半导体深中心的表征》。
