报告题目：半导体工艺研发进展及产业展望
-把握现在、拥有明天
报告人：张达博士（Dr. Da ZHANG）
报告时间：2016年3月16日；a.m.10-11:30
报告地点：曹光彪大楼326室
邀请人：洪樟连教授
张达博士简介：
张达博士1993年7月浙大材料系本科毕业，师从王民权教授攻读硕士学位。1996年毕业获浙大硕士学位，随后赴美国伊利诺伊大学厄巴拉-香槟分校攻读博士学位，于2000年获博士学位。
张达博士毕业后，先后就职于摩托罗拉、飞思卡尔、超微半导体等国际著名半导体公司，从事先进节点平台工艺研发、新产品推进、研发团队管理等方面工作。目前就职于超微(AMD)，担任14nm技术工艺主管。张达博士在飞思卡尔期间，带领团队成功推出全世界第一代 SOI Source/Drain Stressor并将产品性能提高了20%以上。张博士为所任职公司在90nm、45nm 、28nm、14nm工艺节点第一批产品推出作出关键贡献。张达博士一共拥有32项美国专利，并于2012年获飞思卡尔发明大师 (Master Innovator) 最高荣誉称号。
本次报告，张达博士将简单回顾半导体产业发展历史，然后重点对当今领先节点平台技术的状况，包括晶体管架构、工艺集成和系统等进行较详细的介绍，并对产业未来发展进行展望。报告过程中，张博士也将结合个人任职研发经历，与参会人员交流和探讨科研人员素养培养。
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